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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FQB25N33TM-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 52880 pcs | Ficha de datos | FQB25N33TM-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | RDS (Max) @Id, Vgs | 230 mOhm @ 12.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.1W (Ta), 250W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | FQB25N33TM-F085-ND FQB25N33TM-F085OSTR FQB25N33TM_F085 FQB25N33TM_F085-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 75nC @ 15V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 330V |
| Descripción detallada | N-Channel 330V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
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|---|---|---|
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