FQA10N80C-F109

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQA10N80C-F109
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Especificaciones:	FQA10N80C-F109.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	53479 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53479 pcs

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Especificaciones de FQA10N80C-F109

Número de pieza	FQA10N80C-F109	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	53479 pcs	Ficha de datos	FQA10N80C-F109.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-3P
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	240W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-3P-3, SC-65-3	Otros nombres	FQA10N80C_F109 FQA10N80C_F109-ND FQA10N80C_F109FS FQA10N80C_F109FS-ND FQA10N80CF109
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	58nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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