FJN4305RBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FJN4305RBU
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
Especificaciones:	FJN4305RBU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5964 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5964 pcs

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Especificaciones de FJN4305RBU

Número de pieza	FJN4305RBU	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5964 pcs	Ficha de datos	FJN4305RBU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	TO-92-3
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potencia - Max	300mW
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	200MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA
Número de pieza base	FJN4305

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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