FGA6540WDF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FGA6540WDF
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
Especificaciones:	FGA6540WDF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	43905 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43905 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.458

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Especificaciones de FGA6540WDF

Número de pieza	FGA6540WDF	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	IGBT 650V 80A 238W TO-3PN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	43905 pcs	Ficha de datos	FGA6540WDF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	650V	Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 40A
Condición de prueba	400V, 40A, 6 Ohm, 15V	Td (encendido / apagado) @ 25 ° C	16.8ns/54.4ns
Cambio de Energía	1.37mJ (on), 250µJ (off)	Paquete del dispositivo	TO-3PN
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	101ns
Potencia - Max	238W	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-3P-3, SC-65-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de entrada	Standard
Tipo de IGBT	Trench Field Stop	puerta de carga	55.5nC
Descripción detallada	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN	Corriente - Colector Pulsada (ICM)	120A
Corriente - colector (Ic) (Max)	80A

Modo de transporte
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Especificaciones

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