FFD08S60S-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FFD08S60S-F085
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Especificaciones:	FFD08S60S-F085.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	146704 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 146704 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.318

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Especificaciones de FFD08S60S-F085

Número de pieza	FFD08S60S-F085	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	146704 pcs	Ficha de datos	FFD08S60S-F085.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	2.6V @ 8A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V
Paquete del dispositivo	TO-252	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Automotive, AEC-Q101, STEALTH™ II	Tiempo de recuperación inversa (trr)	30ns
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	FFD08S60S-F085CT FFD08S60S_F085CT FFD08S60S_F085CT-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-252	Corriente - Fuga inversa a Vr	100µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)	8A	Capacitancia Vr, F	-
Número de pieza base	FFD08S60

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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