FDZ294N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDZ294N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
Especificaciones:	FDZ294N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5884 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5884 pcs

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Especificaciones de FDZ294N

Número de pieza	FDZ294N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5884 pcs	Ficha de datos	FDZ294N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	9-BGA (1.5x1.6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	23 mOhm @ 6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.7W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	9-VFBGA	Otros nombres	FDZ294N-ND FDZ294NTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

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