FDS9958-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS9958-F085
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Especificaciones:	FDS9958-F085.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	72771 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72771 pcs

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Especificaciones de FDS9958-F085

Número de pieza	FDS9958-F085	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	72771 pcs	Ficha de datos	FDS9958-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	105 mOhm @ 2.9A, 10V
Potencia - Max	900mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS9958-F085TR FDS9958_F085 FDS9958_F085-ND FDS9958_F085TR FDS9958_F085TR-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A

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