FDS8949

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS8949
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Especificaciones:	FDS8949.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	108450 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 108450 pcs

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Especificaciones de FDS8949

Número de pieza	FDS8949	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	108450 pcs	Ficha de datos	FDS8949.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	29 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max	2W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS8949DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	955pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 2W Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A

Modo de transporte
Después de las ventas
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