FDPF8N50NZU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDPF8N50NZU
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F
Especificaciones:	FDPF8N50NZU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	67677 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67677 pcs

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Especificaciones de FDPF8N50NZU

Número de pieza	FDPF8N50NZU	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	67677 pcs	Ficha de datos	FDPF8N50NZU.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	UniFET-II™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.2 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	735pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 6.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Tc)

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