FDPF2D3N10C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDPF2D3N10C
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Especificaciones:	FDPF2D3N10C.pdf
Condición de stock	23508 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 23508 pcs

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1000 pcs: $1.404

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Especificaciones de FDPF2D3N10C

Número de pieza	FDPF2D3N10C	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 222A TO220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	23508 pcs	Ficha de datos	FDPF2D3N10C.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 700µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	2.3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)	45W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11180pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	152nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 222A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	222A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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