FDMT1D3N08B

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMT1D3N08B
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 80V 164A 8-DUAL COOL
Especificaciones:	FDMT1D3N08B.pdf
Condición de stock	28142 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28142 pcs

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Especificaciones de FDMT1D3N08B

Número de pieza	FDMT1D3N08B	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 80V 164A 8-DUAL COOL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	28142 pcs	Ficha de datos	FDMT1D3N08B.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-Dual Cool™88
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.35 mOhm @ 36A, 10V
La disipación de energía (máximo)	178W (Tc)	Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante	23 Weeks	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	19600pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	260nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	N-Channel 80V 164A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	164A (Tc)

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Después de las ventas
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