FDMS8680

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS8680
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
Especificaciones:	FDMS8680.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	78627 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78627 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.653

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Especificaciones de FDMS8680

Número de pieza	FDMS8680	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 14A POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	78627 pcs	Ficha de datos	FDMS8680.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	7 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 50W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS8680DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1590pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	26nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 14A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 35A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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