FDMS86310

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS86310
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
Especificaciones:	FDMS86310.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	76866 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 76866 pcs

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Especificaciones de FDMS86310

Número de pieza	FDMS86310	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	76866 pcs	Ficha de datos	FDMS86310.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	4.8 mOhm @ 17A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 96W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS86310CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	34 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6290pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	95nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	N-Channel 80V 17A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 50A (Tc)

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Especificaciones

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