FDMS86183

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS86183
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Especificaciones:	FDMS86183.pdf
Condición de stock	81643 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81643 pcs

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Especificaciones de FDMS86183

Número de pieza	FDMS86183	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	81643 pcs	Ficha de datos	FDMS86183.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 90µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6), Power56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	12.8 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)	63W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS86183TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	34 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1515pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14nC @ 6V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 51A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	51A (Tc)

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