FDMS86104

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS86104
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 7A POWER56
Especificaciones:	FDMS86104.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	101037 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 101037 pcs

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Especificaciones de FDMS86104

Número de pieza	FDMS86104	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 7A POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	101037 pcs	Ficha de datos	FDMS86104.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	24 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 73W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS86104TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	923pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 7A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta), 16A (Tc)

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