FDMS3602AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS3602AS
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Especificaciones:	FDMS3602AS.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	67101 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67101 pcs

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Especificaciones de FDMS3602AS

Número de pieza	FDMS3602AS	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	67101 pcs	Ficha de datos	FDMS3602AS.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	Power56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	5.6 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max	2.2W, 2.5W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS3602ASCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 26A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	15A, 26A

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