FDMA291P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMA291P
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Especificaciones:	FDMA291P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	231503 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 231503 pcs

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Especificaciones de FDMA291P

Número de pieza	FDMA291P	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	231503 pcs	Ficha de datos	FDMA291P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-MicroFET (2x2)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	42 mOhm @ 6.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-VDFN Exposed Pad	Otros nombres	FDMA291PCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	P-Channel 20V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.6A (Ta)

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