FDI3632

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDI3632
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
Especificaciones:	FDI3632.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5891 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5891 pcs

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Especificaciones de FDI3632

Número de pieza	FDI3632	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5891 pcs	Ficha de datos	FDI3632.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK (TO-262)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	9 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)	310W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Otros nombres	FDI3632-ND FDI3632FS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	110nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 80A (Tc)

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Especificaciones

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