FDG6332C-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDG6332C-F085
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Especificaciones:	FDG6332C-F085.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	423965 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 423965 pcs

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Especificaciones de FDG6332C-F085

Número de pieza	FDG6332C-F085	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V SC70-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	423965 pcs	Ficha de datos	FDG6332C-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SC-70-6
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Potencia - Max	300mW	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	FDG6332C-F085FSDKR FDG6332C_F085DKR FDG6332C_F085DKR-ND FDG6332C_F085FSDKR FDG6332C_F085FSDKR-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	113pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V	Tipo FET	N and P-Channel
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V 700mA, 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	700mA, 600mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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