FDG314P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDG314P
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
Especificaciones:	FDG314P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5744 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5744 pcs

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Especificaciones de FDG314P

Número de pieza	FDG314P	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5744 pcs	Ficha de datos	FDG314P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SC-70-6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	750mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	63pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V	Descripción detallada	P-Channel 25V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	650mA (Ta)

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