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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDFMA3N109 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 152456 pcs | Ficha de datos | FDFMA3N109.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-MicroFET (2x2) |
| Serie | PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 6-VDFN Exposed Pad | Otros nombres | FDFMA3N109CT FDFMA3N109CT-ND FDFMA3N109FSCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 39 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tc) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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