FDD8580

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD8580
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Especificaciones:	FDD8580.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5835 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5835 pcs

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Especificaciones de FDD8580

Número de pieza	FDD8580	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 35A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5835 pcs	Ficha de datos	FDD8580.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-PAK (TO-252AA)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	9 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)	49.5W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD8580TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1445pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 35A (Tc) 49.5W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)

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