FDD6606

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD6606
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
Especificaciones:	FDD6606.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4741 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4741 pcs

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Especificaciones de FDD6606

Número de pieza	FDD6606	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4741 pcs	Ficha de datos	FDD6606.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	6 mOhm @ 17A, 10V
La disipación de energía (máximo)	71W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	31nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 75A (Ta) 71W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Ta)

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