FDD4685

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD4685
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
Especificaciones:	FDD4685.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	109050 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 109050 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDD4685

Número de pieza	FDD4685	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	109050 pcs	Ficha de datos	FDD4685.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-PAK (TO-252AA)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	27 mOhm @ 8.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	69W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD4685DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2380pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27nC @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	P-Channel 40V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.4A (Ta), 32A (Tc)	Número de pieza base	FDD4685

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