FDD18N20LZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD18N20LZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V DPAK-3
Especificaciones:	FDD18N20LZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	69648 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 69648 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDD18N20LZ

Número de pieza	FDD18N20LZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V DPAK-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	69648 pcs	Ficha de datos	FDD18N20LZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-Pak
Serie	UniFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	125 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	89W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD18N20LZDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	19 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1575pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V	Descripción detallada	N-Channel 200V 16A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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