FDC653N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC653N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
Especificaciones:	FDC653N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	229590 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 229590 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDC653N

Número de pieza	FDC653N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	229590 pcs	Ficha de datos	FDC653N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	35 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC653NTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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