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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDC642P-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 291263 pcs | Ficha de datos | FDC642P-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SuperSOT™-6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.2W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Otros nombres | FDC642P-F085TR FDC642P_F085 FDC642P_F085-ND FDC642P_F085P FDC642P_F085TR FDC642P_F085TR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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