FDC6312P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC6312P
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Especificaciones:	FDC6312P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	352869 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 352869 pcs

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Especificaciones de FDC6312P

Número de pieza	FDC6312P	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	352869 pcs	Ficha de datos	FDC6312P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Potencia - Max	700mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC6312P-ND FDC6312PTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	467pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7nC @ 4.5V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A

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