FDC3535

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC3535
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
Especificaciones:	FDC3535.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	183569 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 183569 pcs

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Especificaciones de FDC3535

Número de pieza	FDC3535	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 80V 6-SSOT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	183569 pcs	Ficha de datos	FDC3535.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	183 mOhm @ 2.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC3535CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	P-Channel 80V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.1A (Ta)

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