FDB5690

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB5690
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Especificaciones:	FDB5690.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4208 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4208 pcs

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Especificaciones de FDB5690

Número de pieza	FDB5690	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4208 pcs	Ficha de datos	FDB5690.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	27 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)	58W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FDB5690CT
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1120pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 32A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Tc)

Modo de transporte
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