FDB3860

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB3860
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
Especificaciones:	FDB3860.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5146 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5146 pcs

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Especificaciones de FDB3860

Número de pieza	FDB3860	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5146 pcs	Ficha de datos	FDB3860.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	37 mOhm @ 5.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 71W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FDB3860TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.4A (Ta), 30A (Tc)

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