FDB120N10

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB120N10
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
Especificaciones:	FDB120N10.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	59104 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59104 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDB120N10

Número de pieza	FDB120N10	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET NCH 100V 74A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	59104 pcs	Ficha de datos	FDB120N10.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	12 mOhm @ 74A, 10V
La disipación de energía (máximo)	170W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FDB120N10TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5605pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	86nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 74A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	74A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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