FCP600N65S3R0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCP600N65S3R0
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	SUPERFET3 650V TO220 PKG
Especificaciones:	FCP600N65S3R0.pdf
Condición de stock	103410 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 103410 pcs

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Especificaciones de FCP600N65S3R0

Número de pieza	FCP600N65S3R0	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	SUPERFET3 650V TO220 PKG	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	103410 pcs	Ficha de datos	FCP600N65S3R0.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 600µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	SuperFET® III	RDS (Max) @Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	54W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Estado sin plomo	Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	465pF @ 400V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

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