FCP20N60_G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCP20N60_G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	INTEGRATED CIRCUIT
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4411 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4411 pcs

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Especificaciones de FCP20N60_G

Número de pieza	FCP20N60_G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	INTEGRATED CIRCUIT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4411 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	SuperFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	208W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3080pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	98nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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