FCMT099N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCMT099N65S3
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Especificaciones:	FCMT099N65S3.pdf
Condición de stock	35010 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35010 pcs

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Especificaciones de FCMT099N65S3

Número de pieza	FCMT099N65S3	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 650V 30A POWER88	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	35010 pcs	Ficha de datos	FCMT099N65S3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 3mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	Power88
Serie	SuperFET® III	RDS (Max) @Id, Vgs	99 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	227W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	4-PowerTSFN	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2270pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	56nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount Power88
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

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