FCI7N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCI7N60
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Especificaciones:	FCI7N60.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	68066 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68066 pcs

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Especificaciones de FCI7N60

Número de pieza	FCI7N60	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	68066 pcs	Ficha de datos	FCI7N60.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK (TO-262)
Serie	SuperFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	83W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

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