FCH170N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCH170N60
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Especificaciones:	FCH170N60.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	34000 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 34000 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.181

10 pcs: $1.948

450 pcs: $1.441

900 pcs: $1.169

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Especificaciones de FCH170N60

Número de pieza	FCH170N60	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 22A TO247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	34000 pcs	Ficha de datos	FCH170N60.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	SuperFET® II	RDS (Max) @Id, Vgs	170 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)	227W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2860pF @ 380V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	55nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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