FCB36N60NTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCB36N60NTM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Especificaciones:	FCB36N60NTM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	23831 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 23831 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

800 pcs: $1.502

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Especificaciones de FCB36N60NTM

Número de pieza	FCB36N60NTM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	23831 pcs	Ficha de datos	FCB36N60NTM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK
Serie	SupreMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	90 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)	312W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FCB36N60NTM-ND FCB36N60NTMTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	44 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	112nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 36A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)	Número de pieza base	FCB36N60

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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