EFC4627R-TR

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	EFC4627R-TR
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
Especificaciones:	EFC4627R-TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	495266 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 495266 pcs

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Especificaciones de EFC4627R-TR

Número de pieza	EFC4627R-TR	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	495266 pcs	Ficha de datos	EFC4627R-TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Paquete del dispositivo	4-EFCP (1.01x1.01)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	-
Potencia - Max	1.4W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	4-XFBGA, FCBGA	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	37 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13.4nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.4W 4-EFCP (1.01x1.01)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-

Modo de transporte
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