ECH8619-TL-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ECH8619-TL-E
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Especificaciones:	ECH8619-TL-E.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5417 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5417 pcs

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Especificaciones de ECH8619-TL-E

Número de pieza	ECH8619-TL-E	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5417 pcs	Ficha de datos	ECH8619-TL-E.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Paquete del dispositivo	8-ECH
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	93 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max	1.5W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Flat Lead	Otros nombres	869-1156-2
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.8nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A, 2A	Número de pieza base	ECH8619

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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