EC3A03B-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	EC3A03B-TL-H
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3
Especificaciones:	EC3A03B-TL-H.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5769 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5769 pcs

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Especificaciones de EC3A03B-TL-H

Número de pieza	EC3A03B-TL-H	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5769 pcs	Ficha de datos	EC3A03B-TL-H.pdf
Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id	1.5V @ 1µA	Paquete del dispositivo	3-ECSP1006
Serie	-	Potencia - Max	100mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	3-XFDFN
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1.7pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	JFET N-Channel 1mA 100mW Surface Mount 3-ECSP1006
Consumo de corriente (Id) - Max	1mA	Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)	50µA @ 20V

Modo de transporte
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Especificaciones

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