CPH5871-TL-W

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	CPH5871-TL-W
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5
Especificaciones:	CPH5871-TL-W.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4282 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4282 pcs

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Especificaciones de CPH5871-TL-W

Número de pieza	CPH5871-TL-W	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4282 pcs	Ficha de datos	CPH5871-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	5-CPH
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	52 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	900mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-74A, SOT-753	Otros nombres	CPH5871-TL-H CPH5871-TL-H-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.7nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 3.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 5-CPH	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta)

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