BSR58LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BSR58LT1G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Especificaciones:	BSR58LT1G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4499 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4499 pcs

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Especificaciones de BSR58LT1G

Número de pieza	BSR58LT1G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	JFET N-CH 40V 350MW SOT23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4499 pcs	Ficha de datos	BSR58LT1G.pdf
Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id	800mV @ 1µA	Tensión - Breakdown (V (BR) GSS)	40V
Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)	Serie	-
Resistencia - RDS (on)	60 Ohms	Potencia - Max	350mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	Tipo FET	N-Channel
Descripción detallada	JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)	8mA @ 15V
Número de pieza base	BSR58

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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