| Número de pieza | BS108ZL1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5101 pcs | Ficha de datos | BS108ZL1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| La disipación de energía (máximo) | 350mW (Ta) | embalaje | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Otros nombres | BS108ZL1GOS BS108ZL1GOS-ND BS108ZL1GOSTB |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 2.8V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V | Descripción detallada | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
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|---|---|---|
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