ATP602-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ATP602-TL-H
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
Especificaciones:	ATP602-TL-H.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5937 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5937 pcs

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Especificaciones de ATP602-TL-H

Número de pieza	ATP602-TL-H	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5937 pcs	Ficha de datos	ATP602-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ATPAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.7 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	70W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	ATPAK (2 leads+tab)	Otros nombres	869-1089-1 ATP602TLH
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 5A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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