2SK4125

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	2SK4125
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
Especificaciones:	2SK4125.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5036 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5036 pcs

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Especificaciones de 2SK4125

Número de pieza	2SK4125	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5036 pcs	Ficha de datos	2SK4125.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-3PB
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	610 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 170W (Tc)	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	TO-3P-3, SC-65-3	Otros nombres	869-1071
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	46nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3PB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta)

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