1N459-T50R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1N459-T50R
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Especificaciones:	1N459-T50R.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6017 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6017 pcs

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Especificaciones de 1N459-T50R

Número de pieza	1N459-T50R	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6017 pcs	Ficha de datos	1N459-T50R.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	200V
Paquete del dispositivo	DO-35	Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	DO-204AH, DO-35, Axial	Otros nombres	1N459-T50RTR 1N459_T50R 1N459_T50R-ND 1N459_T50RTR 1N459_T50RTR-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction	175°C (Max)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 200V 500mA Through Hole DO-35
Corriente - Fuga inversa a Vr	25nA @ 175V	Corriente - rectificada media (Io)	500mA
Capacitancia Vr, F	6pF @ 0V, 1MHz	Número de pieza base	1N459

Modo de transporte
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Especificaciones

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