1HN04CH-TL-W

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1HN04CH-TL-W
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
Especificaciones:	1HN04CH-TL-W.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	253571 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 253571 pcs

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3000 pcs: $0.077

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Especificaciones de 1HN04CH-TL-W

Número de pieza	1HN04CH-TL-W	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	253571 pcs	Ficha de datos	1HN04CH-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.6V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	3-CPH
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	8 Ohm @ 140mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	1HN04CH-TL-W-ND 1HN04CH-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.9nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 270mA (Ta) Surface Mount 3-CPH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	270mA (Ta)

Modo de transporte
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