8EWF02STR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	8EWF02STR
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
Especificaciones:	8EWF02STR.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4616 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4616 pcs

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Especificaciones de 8EWF02STR

Número de pieza	8EWF02STR	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4616 pcs	Ficha de datos	8EWF02STR.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	8A
Tensión - Desglose	D-PAK (TO-252AA)	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	VS-8EWF02STR VS-8EWF02STR-ND VS8EWF02STR VS8EWF02STR-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	140ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	8EWF02STR	Descripción ampliada	Diode Standard 200V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
configuración de diodo	100µA @ 200V	Descripción	DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.2V @ 8A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	200V
Capacitancia Vr, F	-40°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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