8ETH06S

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	8ETH06S
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Especificaciones:	8ETH06S.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4226 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4226 pcs

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Especificaciones de 8ETH06S

Número de pieza	8ETH06S	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4226 pcs	Ficha de datos	8ETH06S.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	8A
Tensión - Desglose	D2PAK	Serie	FRED Pt®
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres	*8ETH06S VS-8ETH06S VS-8ETH06S-ND VS8ETH06S VS8ETH06S-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	25ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	8ETH06S	Descripción ampliada	Diode Standard 600V 8A Surface Mount D2PAK
configuración de diodo	50µA @ 600V	Descripción	DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr	2.4V @ 8A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	600V
Capacitancia Vr, F	-65°C ~ 175°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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